NTMS10P02R2G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NTMS10P02R2G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.69 |
10+ | $1.522 |
100+ | $1.2234 |
500+ | $1.0052 |
1000+ | $0.8329 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.6W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3640 pF @ 16 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.8A (Ta) |
Grundproduktnummer | NTMS10 |
NTMS10P02R2G Einzelheiten PDF [English] | NTMS10P02R2G PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
ON SOP-8
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
ON SOP8
NTMS10P02 ON
MOSFET N-CH 30V 26A/148A 4ICEPAK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NTMS10P02R2Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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